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文献
J-GLOBAL ID：201802272111077594
整理番号：18A0845121
埋込みメモリ応用のための自己整流および形成フリー抵抗スイッチング素子【JST・京大機械翻訳】
Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Embedded Memory Application
Luo Qing
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhang Xumeng
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Hu Yuan
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Gong Tiancheng
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Xu Xiaoxin
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yuan Peng
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials, Nanjing, China)
,
Ma Haili
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Dong Danian
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Lv Hangbing
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Long Shibing
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Qi
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Ming
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 5 ページ： 664-667 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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