文献
J-GLOBAL ID:201802272158371955
整理番号:18A1211078
40nm CMOS技術による新しい高性能中電圧DENMOS【JST・京大機械翻訳】
A novel high performance medium-voltage DEnMOS in 40nm CMOS technology
著者 (4件):
Wei Lin
(Technology Development Department, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd.)
,
Singh Upinder
(Technology Development Department, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd.)
,
Koo Jeoung Mo
(Technology Development Department, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd.)
,
Huihua Jiang
(Technology Development Department, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd.)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISPSD
ページ:
292-294
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)