文献
J-GLOBAL ID:201802272198986958
整理番号:18A0433236
Si単結晶基板によるMg膜の反応を経由するMg_2Si形成速度論のその場高温X線回折分析【Powered by NICT】
In situ high-temperature X-ray diffraction analysis of Mg2Si formation kinetics via reaction of Mg films with Si single crystal substrates
著者 (3件):
Gordin Ari S.
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA)
,
Sandhage Kenneth H.
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA)
,
Sandhage Kenneth H.
(School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47905, USA)
資料名:
Intermetallics
(Intermetallics)
巻:
94
ページ:
200-209
発行年:
2018年
JST資料番号:
W0672A
ISSN:
0966-9795
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)