文献
J-GLOBAL ID:201802273149058944
整理番号:18A1622467
自己終端,低損傷アノードリセス技術を用いた高いBaligaの性能指数を持つGaN横方向Schottkyダイオード【JST・京大機械翻訳】
GaN Lateral Schottky Diodes with High Baliga’s Figure-of-Merit Utilizing Self-Terminated, Low Damage Anode Recessing Technology
著者 (6件):
Gao J.
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, China)
,
Jin Y.
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, China)
,
Xie B.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
,
Wen C. P.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
,
Hao Y.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
,
Wang M.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)