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文献
J-GLOBAL ID：201802273304212035
整理番号：18A0826810
新規メモリ材料不使用不揮発メモリ機能搭載新コアトランジスタ
A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials
TANIGUCHI Y.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
YOSHIDA S.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
OWADA F.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
SHINAGAWA Y.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
KASAI H.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
LIN-JIA-YOU
(Powerchip Technol. Corp, Hsinchu Sci. Park, TWN)
,
WEI-I-HSUAN
(Powerchip Technol. Corp, Hsinchu Sci. Park, TWN)
,
OKADA D.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
NAGASAWA K.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
,
OKUYAMA K.
(Floadia Corp, Tokyo, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118 号： 10(ICD2018 1-13) ページ： 23-27 発行年： 2018年04月12日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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