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文献
J-GLOBAL ID：201802273466496817
整理番号：18A1567843
バンドオフセットエンジニアリング後の超薄原子層膜の固有量子井戸形成に基づく共鳴トンネリングMIIISダイオード【JST・京大機械翻訳】
Resonant tunneling MIIIS diode based on intrinsic quantum-well formation of ultra-thin atomic layered films after band-offset engineering
Molina-Reyes Joel
(National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Santa Maria Tonantzintla, Puebla, Puebla 72000, Mexico)
,
Uribe-Vargas Hector
(National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Santa Maria Tonantzintla, Puebla, Puebla 72000, Mexico)
,
Ortega Eduardo
(Department of Physics and Astronomy, University of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA)
,
Ponce Arturo
(National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Santa Maria Tonantzintla, Puebla, Puebla 72000, Mexico)
,
Ponce Arturo
(Department of Physics and Astronomy, University of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 458 ページ： 166-171 発行年： 2018年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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