文献
J-GLOBAL ID:201802273738414381
整理番号:18A1253082
非晶質Ta-Ge-OおよびTa-Si-O薄膜の誘電特性【JST・京大機械翻訳】
Dielectric properties of amorphous Ta-Ge-O and Ta-Si-O thin films
著者 (2件):
Naoi T. A.
(Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
van Dover R. B.
(Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
123
号:
24
ページ:
244103-244103-6
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)