文献
J-GLOBAL ID:201802273829470577
整理番号:18A0705899
メモリスタデバイスに基づくシナプスメタ可塑性の完全模倣【JST・京大機械翻訳】
Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices
著者 (10件):
Wu Quantan
(Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China. lingli@ime.ac.cn liuming@ime.ac.cn)
,
Wang Hong
,
Luo Qing
,
Banerjee Writam
,
Cao Jingchen
,
Zhang Xumeng
,
Wu Facai
,
Liu Qi
,
Li Ling
,
Liu Ming
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
10
号:
13
ページ:
5875-5881
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)