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文献
J-GLOBAL ID：201802273962780758
整理番号：18A1617008
新しいAlGaN/Ga14N15N超格子MOSFETの静的特性の解析的革新【JST・京大機械翻訳】
Analytical innovation of static characteristics for novel AlGaN/Ga14N15N superlattice MOSFET
Mazumdar Kaushik
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (ISM), Dhanbad 826004, India)
,
Shankar Ravi
(Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (ISM), Dhanbad 826004, India)
,
Ghosal Aniruddha
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92 APC Road, Kolkata 700009, India)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 120 ページ： 824-827 発行年： 2018年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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