文献
J-GLOBAL ID:201802274459730656
整理番号:18A0243011
有効ドーピング濃度理論:SOI基板上の二重RESURF横型パワーデバイスのための新しい物理的洞察【Powered by NICT】
Effective Doping Concentration Theory: A New Physical Insight for the Double-RESURF Lateral Power Devices on SOI Substrate
著者 (6件):
Zhang Jun
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Guo Yu-Feng
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Pan David Z.
(National and Local Joint Engineering Laboratory for RF Integration and Micro-Packaging Technologies, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
,
Yang Ke-Meng
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Lian Xiao-Juan
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Yao Jia-Fei
(College of Electronic Science and Engineering)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
2
ページ:
648-654
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)