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文献
J-GLOBAL ID：201802274459730656
整理番号：18A0243011
有効ドーピング濃度理論:SOI基板上の二重RESURF横型パワーデバイスのための新しい物理的洞察【Powered by NICT】
Effective Doping Concentration Theory: A New Physical Insight for the Double-RESURF Lateral Power Devices on SOI Substrate
Zhang Jun
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Guo Yu-Feng
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Pan David Z.
(National and Local Joint Engineering Laboratory for RF Integration and Micro-Packaging Technologies, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
,
Yang Ke-Meng
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Lian Xiao-Juan
(College of Electronic Science and Engineering)
,
Yao Jia-Fei
(College of Electronic Science and Engineering)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 2 ページ： 648-654 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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