文献
J-GLOBAL ID:201802274461199469
整理番号:18A0715716
ドープしたポリチオフェン接合の大きな熱電効率:密度汎関数研究【JST・京大機械翻訳】
Large thermoelectric efficiency of doped polythiophene junction: A density functional study
著者 (3件):
Golsanamlou Zahra
(Department of Physics, Computational Nanophysics Laboratory (CNL), University of Guilan, Po Box:41335-1914, Rasht, Iran)
,
Bagheri Tagani Meysam
(Department of Physics, Computational Nanophysics Laboratory (CNL), University of Guilan, Po Box:41335-1914, Rasht, Iran)
,
Rahimpour Soleimani Hamid
(Department of Physics, Computational Nanophysics Laboratory (CNL), University of Guilan, Po Box:41335-1914, Rasht, Iran)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
100
ページ:
31-39
発行年:
2018年
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)