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文献
J-GLOBAL ID：201802274511620308
整理番号：18A1138602
物理蒸着n-ZnS/p-Si(100)ヘテロ接合のダイオード特性と空間電荷制限伝導に及ぼす熱アニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of thermal annealing on the diode properties and space charge limited conduction of the physical vapor-deposited n-ZnS/p-Si(100) heterojunctions
Magallon Senados Kenneth
(Department of Physics, College of Science and Mathematics, Mindanao State University - Iligan Institute of Technology, A. Bonifacio Ave., Tibanga, Iligan City 9200, Philippines)
,
Magallon Senados Kenneth
(Department of Physics, College of Science and Mathematics, University of Science and Technology of Southern Philippines, Lapasan, Cagayan de Oro City 9000, Philippines)
,
Magdadaro Vequizo Reynaldo
(Department of Physics, College of Science and Mathematics, Mindanao State University - Iligan Institute of Technology, A. Bonifacio Ave., Tibanga, Iligan City 9200, Philippines)
,
Magdadaro Vequizo Reynaldo
(Premier Research Institute of Science and Mathematics, Mindanao State University - Iligan Institute of Technology, A. Bonifacio Ave., Tibanga, Iligan City 9200, Philippines)
資料名：
Materials Today: Proceedings
(Materials Today: Proceedings)
巻： 5 号： 7 P1 ページ： 15174-15179 発行年： 2018年
JST資料番号： W3531A ISSN： 2214-7853 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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