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文献
J-GLOBAL ID：201802274737964163
整理番号：18A1596988
新しいGeSnオン絶縁体基板上に作製したゲルマニウム-スズ(GeSn)p-チャネルフィン電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Germanium-Tin (GeSn) P-Channel Fin Field-Effect Transistor Fabricated on a Novel GeSn-on-Insulator Substrate
Lei Dian
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Lee Kwang Hong
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Huang Yi-Chiau
(Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA)
,
Wang Wei
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Masudy-Panah Saeid
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Yadav Sachin
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Kumar Annie
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Dong Yuan
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Kang Yuye
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Xu Shengqiang
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Wu Ying
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Tan Chuan Seng
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Gong Xiao
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
,
Yeo Yee-Chia
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 9 ページ： 3754-3761 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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