文献
J-GLOBAL ID:201802275249807747
整理番号:18A1211108
酸化物保護と強化された伝導率変調のためのダイオードクランプPシールドを用いたSiCトレンチIGBT【JST・京大機械翻訳】
SiC trench IGBT with diode-clamped p-shield for oxide protection and enhanced conductivity modulation
著者 (7件):
Wei Jin
(Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China)
,
Zhang Meng
(Dept. of ISE, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong)
,
Jiang Huaping
(Dynex Semiconductor Ltd, Lincoln, UK)
,
To Suet
(Dept. of ISE, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong)
,
Kim SungHan
(Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China)
,
Kim Jun-Youn
(Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China)
,
Chen Kevin J.
(Dept. of ECE, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISPSD
ページ:
411-414
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)