文献
J-GLOBAL ID:201802275272059584
整理番号:18A0521037
パルス条件下での10kV4H-SiC PINダイオードのSilvacoベース電熱シミュレーション【Powered by NICT】
Silvaco-based electrothermal simulation of 10 kV 4H-SiC PI-N diode under pulsed condition
著者 (3件):
Pushpakaran B.
(Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409 USA)
,
Bayne S.
(Army Research Lab, 2800 Powder Mill Road, Adelphi MD 20783 USA)
,
Ogunniyi A.
(Army Research Lab, 2800 Powder Mill Road, Adelphi MD 20783 USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
PPC
ページ:
1-6
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)