前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201802275347413932
整理番号：18A0860122
1700V45mω SiC MOSFETのロバスト性研究【JST・京大機械翻訳】
Robustness study of 1700 V 45 mΩ SiC MOSFETs
Molin Quentin
(Supergrid Institute, 21 rue Cyprian, Villeurbanne 69611 CEDEX, France)
,
Kanoun Mehdi
(EDF R&D, Moret-sur-Loing 77818, France)
,
Raynaud Christophe
(Univ Lyon, INSA Lyon, Ampe`re UMR 5005, F-69621, France)
,
Morel Herve
(Univ Lyon, INSA Lyon, Ampe`re UMR 5005, F-69621, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ICIT ページ： 830-834 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。