文献
J-GLOBAL ID:201802275423855463
整理番号:18A0407795
電界効果トランジスタの応用のための金属半金属薄膜【Powered by NICT】
Metal metalloid thin film for the application of field effect transistor
著者 (3件):
Arora Swati
(Swami Keshvanand Institute of Technology, M&G Vivekananda Global University, Jaipur, India)
,
Vijay Y. K.
(Vivekananda Global University, Jaipur, India Jaipur, India)
,
Panwar Hemlata
(Swami Keshvanand Institute of Technology, M&G Jaipur, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICICIC
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)