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文献
J-GLOBAL ID：201802275570098585
整理番号：18A0511845
種々の温度でアニールしたn型GaN上の透明Ag/ITO Schottky接触の障壁高さの不均一性【Powered by NICT】
Inhomogeneity of barrier heights of transparent Ag/ITO Schottky contacts on n-type GaN annealed at different temperatures
Yoon Su-Jung
(Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Lee Jeeyun
(Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Seong Tae-Yeon
(Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
,
Seong Tae-Yeon
(Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 742 ページ： 66-71 発行年： 2018年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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