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文献
J-GLOBAL ID：201802275876662556
整理番号：18A0537938
5Gモバイル応用のための45nm SOI CMOSにおける2838GHz RFスイッチのESD保護の影響【Powered by NICT】
A study of impacts of ESD protection on 28/38GHz RF switches in 45nm SOI CMOS for 5G mobile applications
Wang Chenkun
(University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
,
Lu Fei
(University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
,
Chen Qi
(University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
,
Zhang Feilong
(University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
,
Li Cheng
(University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
,
Wang Dawn
(Global Foundries, USA)
,
Wang Albert
(University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： RWS ページ： 157-160 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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