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文献
J-GLOBAL ID：201802276114840642
整理番号：18A0910799
表面活性化接合法によるSi/インジウムスズ酸化物/Si接合の電気伝導
Electrical conduction of Si/indium tin oxide/Si junctions fabricated by surface activated bonding
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
OGAWA Tomoki
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
HARA Tomoya
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
ARAKI Kenji
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
KAMIOKA Takefumi
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 2S1 ページ： 02BE03.1-02BE03.5 発行年： 2018年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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