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J-GLOBAL ID：201802276431044895 整理番号：18A1689170

高圧ねじり処理後の異なるドーピング濃度のSiの電気的性質に及ぼす準安定相の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of metastable phases on electrical properties of Si with different doping concentrations after processing by high-pressure torsion

著者 (9件)：

Chon Bumsoo

(Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Ikoma Yoshifumi

(Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Kohno Masamichi

(Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Kohno Masamichi

(International Institute of Carbon-Neutral Energy Research (I2CNER), Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Shiomi Junichiro

(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

McCartney Martha R.

(Department of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)

Smith David J.

(Department of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)

Horita Zenji

(Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

Horita Zenji

(International Institute of Carbon-Neutral Energy Research (I2CNER), Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)

資料名：

Scripta Materialia (Scripta Materialia)

巻： 157 ページ： 120-123 発行年： 2018年
JST資料番号： B0915A ISSN： 1359-6462 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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