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文献
J-GLOBAL ID：201802276443738033
整理番号：18A2209627
SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ
GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with buried SiO2 optical waveguide structures
飯田涼介
(名城大 大学院理工学研究科)
,
林菜摘
(名城大 大学院理工学研究科)
,
村永亘
(名城大 大学院理工学研究科)
,
岩山章
(名城大 大学院理工学研究科)
,
竹内哲也
(名城大 大学院理工学研究科)
,
上山智
(名城大 大学院理工学研究科)
,
岩谷素顕
(名城大 大学院理工学研究科)
,
赤崎勇
(名城大 大学院理工学研究科)
,
赤崎勇
(名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118 号： 330(ED2018 32-52) ページ： 71-74 発行年： 2018年11月22日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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