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文献
J-GLOBAL ID：201802276785144582
整理番号：18A0848026
回路シミュレーションにおける性能拡散により影響される並列接続SiCパワーMOSFETの挙動の調査【JST・京大機械翻訳】
Exploring the behavior of parallel connected SiC power MOSFETs influenced by performance spread in circuit simulations
Muting Johanna
(Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Schneider Nick
(Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Ziemann Thomas
(Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Stark Roger
(Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Grossner Ulrike
(Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： APEC ページ： 280-286 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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