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文献
J-GLOBAL ID：201802276879076193
整理番号：18A1550127
位相差顕微鏡による4H-SiCのエピタキシャル層における貫通転位の光学的識別
Optical discrimination of threading dislocations in 4H-SiC epitaxial layer by phase-contrast microscopy
HATTORI Ryo
(Ceramic Forum Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
HATTORI Ryo
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
OKU Osamu
(Micro-world Serv., Tokyo, JPN)
,
SUGIE Ryuichi
(Toray Res. Center Inc., Otsu, JPN)
,
MURAKAMI Kazutsugu
(Ceramic Forum Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 7 ページ： 075501.1-075501.3 発行年： 2018年07月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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