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文献
J-GLOBAL ID：201802276935569071
整理番号：18A2074620
金属Cd源を用いた気相エピタクシーによる(211)Si基板上のII/VI上のCdTeの初期成長における表面形態の依存性【JST・京大機械翻訳】
Dependence of surface morphology at initial growth of CdTe on the II/VI on (2 1 1) Si substrates by vapor phase epitaxy using metallic Cd source
Iso Kenji
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Iso Kenji
(R&TD Center, Tsukuba Plant, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Ibaraki 300-1295, Japan)
,
Gokudan Yuya
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Shiraishi Masumi
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Nishikado Minae
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Murakami Hisashi
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Koukitu Akinori
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 506 ページ： 185-189 発行年： 2019年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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