文献
J-GLOBAL ID:201802277023282337
整理番号:18A2027604
SiCパワーMOSFETの高速ハードスイッチングのためのGaN HEMTを用いたゲートドライバの駆動能力の向上【JST・京大機械翻訳】
Enhancement of Driving Capability of Gate Driver Using GaN HEMTs for High-Speed Hard Switching of SiC Power MOSFETs
著者 (2件):
Okuda Takafumi
(Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Hikihara Takashi
(Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IPEC Niigata 2018 -ECCE Asia
ページ:
3654-3657
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)