文献
J-GLOBAL ID:201802277064195079
整理番号:18A2083808
すずペロブスカイト薄膜における欠陥に起因するI-Vヒステリシス挙動のモデリングと解析【JST・京大機械翻訳】
Modeling and analysis of I-V hysteresis behaviors caused by defects in tin perovskite thin films
著者 (4件):
Noma Taishi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
,
Taguchi Dai
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
,
Manaka Takaaki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
,
Iwamoto Mitsumasa
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
17
ページ:
175501-175501-7
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)