文献
J-GLOBAL ID:201802277122309951
整理番号:18A0403793
TMをドープした2次元炭化けい素中の電子及び磁気特性のab initio研究【Powered by NICT】
Ab initio study of electronic and magnetic properties in TM-doped 2D silicon carbide
著者 (4件):
Luo M.
(Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, Shanghai 201306, PR China)
,
Shen Y.H.
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China)
,
Yin T.L.
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China)
,
Yin T.L.
(School of Electronics and Information, Nantong University, Nantong 226019, PR China)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
85
ページ:
280-284
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)