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文献
J-GLOBAL ID：201802277122309951
整理番号：18A0403793
TMをドープした2次元炭化けい素中の電子及び磁気特性のab initio研究【Powered by NICT】
Ab initio study of electronic and magnetic properties in TM-doped 2D silicon carbide
Luo M.
(Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, Shanghai 201306, PR China)
,
Shen Y.H.
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China)
,
Yin T.L.
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China)
,
Yin T.L.
(School of Electronics and Information, Nantong University, Nantong 226019, PR China)
資料名：
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 85 ページ： 280-284 発行年： 2017年
JST資料番号： W1066A ISSN： 1386-9477 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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