文献
J-GLOBAL ID:201802277600596263
整理番号:18A1893610
GeSe_2単分子層の電子特性と異方性の歪工学【JST・京大機械翻訳】
Strain-engineering the electronic properties and anisotropy of GeSe2 monolayers
著者 (6件):
Li Zongbao
(School of Material and Chemical Engineering, Tongren University, Tongren 554300, China)
,
Wang Xia
,
Shi Wei
,
Xing Xiaobo
,
Xue Ding-Jiang
,
Hu Jin-Song
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
8
号:
58
ページ:
33445-33450
発行年:
2018年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)