文献
J-GLOBAL ID:201802277611953258
整理番号:18A0838787
CMOSバックエンドオフラインと両立するRRAMデバイスのための酸化インジウムナノ粒子【JST・京大機械翻訳】
Indium-oxide nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS back-end-off-line
著者 (12件):
Leon Perez Edgar A.A.
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Guenery Pierre-Vincent
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Abouzaid Oumaiema
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Ayadi Khaled
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Brottet Solene
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Moeyaert Jeremy
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA/LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France)
,
Labau Sebastien
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA/LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France)
,
Baron Thierry
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA/LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France)
,
Blanchard Nicholas
(Univ. Lyon, Institut Lumiere Matiere-UMR CNRS 5306, UCBL1, 69621 Villeurbanne, France)
,
Baboux Nicolas
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Militaru Liviu
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
,
Souifi Abdelkader
(Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
143
ページ:
20-26
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)