文献
J-GLOBAL ID:201802277869533117
整理番号:18A0118527
シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響
Modification effects of ferroelectric thick-film properties on silicon substrates by proton beam irradiation
著者 (3件):
平出惇
(芝浦工大 工)
,
山口正樹
(芝浦工大 工)
,
増田陽一郎
(八戸工大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
117
号:
372(EID2017 11-29)
ページ:
57-62
発行年:
2017年12月15日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)