文献
J-GLOBAL ID:201802277975228078
整理番号:18A0194124
nMOS SOIトライゲートナノワイヤ電界効果トランジスタのTID応答に及ぼす幾何学的効果とバイアス構成の研究【Powered by NICT】
Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors
著者 (13件):
Riffaud J.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Gaillardin M.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Marcandella C.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Martinez M.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Paillet P.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Duhamel O.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Lagutere T.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Raine M.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Richard N.
(DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France)
,
Andrieu F.
(LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France)
,
Barraud S.
(LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France)
,
Vinet M.
(LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France)
,
Faynot O.
(LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
65
号:
1
ページ:
39-45
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)