文献
J-GLOBAL ID:201802278204301427
整理番号:18A0125625
臭化タリウム半導体放射線検出器のための先進的結晶成長技術【Powered by NICT】
Advanced crystal growth techniques for thallium bromide semiconductor radiation detectors
著者 (5件):
Datta Amlan
(CapeSym, Inc., 6 Huron Drive, Natick, MA 01760, USA)
,
Becla Piotr
(CapeSym, Inc., 6 Huron Drive, Natick, MA 01760, USA)
,
Becla Piotr
(Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Guguschev Christo
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, Berlin 12489, Germany)
,
Motakef Shariar
(CapeSym, Inc., 6 Huron Drive, Natick, MA 01760, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
483
ページ:
211-215
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)