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文献
J-GLOBAL ID：201802278330841221
整理番号：18A0523335
ドーピングによる欠陥補償によるGaSbエピ層の光学的性質の改善【Powered by NICT】
Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping
Wang Dengkui
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Liu Xue
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Tang Jilong
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Fang Xuan
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Fang Dan
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Li Jinhua
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Wang Xiaohua
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
,
Chen Rui
(Department of Electrical and Electronic Engineering, South University of Science and Technology of China, Shenzhen, Guangdong 518055, PR China)
,
Wei Zhipeng
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, PR China)
資料名：
Journal of Luminescence
(Journal of Luminescence)
巻： 197 ページ： 266-269 発行年： 2018年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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