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文献
J-GLOBAL ID：201802278351992921
整理番号：18A0968482
準一次元層状半導体TiS_3(001)のバンド構造【JST・京大機械翻訳】
The band structure of the quasi-one-dimensional layered semiconductor TiS3(001)
Yi Hemian
(Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France)
,
Komesu Takashi
(Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA)
,
Gilbert Simeon
(Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA)
,
Hao Guanhua
(Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA)
,
Yost Andrew J.
(Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA)
,
Lipatov Alexey
(Department of Chemistry, University of Nebraska, Hamilton Hall 629, Lincoln, Nebraska 68588-0304, USA)
,
Sinitskii Alexander
(Department of Chemistry, University of Nebraska, Hamilton Hall 629, Lincoln, Nebraska 68588-0304, USA)
,
Avila Jose
(Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France)
,
Chen Chaoyu
(Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France)
,
Asensio Maria C.
(Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France)
,
Dowben P. A.
(Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 112 号： 5 ページ： 052102-052102-4 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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