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文献
J-GLOBAL ID:201802278784030481   整理番号:18A1700455

AlGaN/GaN界面準位が分極接合基板上p-MOSFETの電流特性に与える影響

著者 (8件):
鶴田脩真
(東京工大)
星井拓也
(東京工大)
中島昭
(産業技術総合研)
西澤伸一
(九大)
大橋弘通
(東京工大)
角嶋邦之
(東京工大)
若林整
(東京工大)
筒井一生
(東京工大)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 79th  ページ: ROMBUNNO.21a-331-12  発行年: 2018年09月05日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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