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J-GLOBAL ID：201802278784030481 整理番号：18A1700455

AlGaN/GaN界面準位が分極接合基板上p-MOSFETの電流特性に与える影響

著者 (8件)：

鶴田脩真

(東京工大)

星井拓也

(東京工大)

中島昭

(産業技術総合研)

西澤伸一

(九大)

大橋弘通

(東京工大)

角嶋邦之

(東京工大)

若林整

(東京工大)

筒井一生

(東京工大)

資料名：

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻： 79th ページ： ROMBUNNO.21a-331-12 発行年： 2018年09月05日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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