文献
J-GLOBAL ID:201802278908385069
整理番号:18A1790882
有機金属気相エピタクシーにより成長させた近赤外光ルミネセンスを発光するn面(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN/InN/GaN二重ヘテロ構造
N-face (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-infrared photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy
著者 (3件):
AKASAKA Tetsuya
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
SCHIED Monika
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KUMAKURA Kazuhide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
8
ページ:
081001.1-081001.5
発行年:
2018年08月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)