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文献
J-GLOBAL ID：201802278995427949
整理番号：18A0630903
Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化
井村将隆
(物質・材料研究機構)
,
津田俊輔
(物質・材料研究機構)
,
長田貴弘
(物質・材料研究機構)
,
山下良之
(物材機構 SPring-8)
,
吉川英樹
(物材機構 SPring-8)
,
小林啓介
(物材機構 SPring-8)
,
小出康夫
(物質・材料研究機構)
,
山口智広
(工学院大)
,
山口智広
(立命館大)
,
金子昌充
(立命館大)
,
上松尚
(立命館大)
,
荒木努
(立命館大)
,
名西やすし
(立命館大)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th ページ： ROMBUNNO.17p-E202-19 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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