文献
J-GLOBAL ID:201802279083536412
整理番号:18A1893931
広い光吸収と効率的光生成キャリア分離に基づくCu_2OとCo-Piで同時修飾したZnO光電極【JST・京大機械翻訳】
ZnO photoelectrode simultaneously modified with Cu2O and Co-Pi based on broader light absorption and efficiently photogenerated carrier separation
著者 (5件):
Ma Chonghao
(Hubei Collaborative Innovation Center for High-efficiency Utilization of Solar Energy, Hubei University of Technology, Wuhan, 430068, China. tjulzf@163.com)
,
Liu Zhifeng
,
Cai Qijun
,
Han Changcun
,
Tong Zhengfu
資料名:
Inorganic Chemistry Frontiers
(Inorganic Chemistry Frontiers)
巻:
5
号:
10
ページ:
2571-2578
発行年:
2018年
JST資料番号:
W3486A
ISSN:
2052-1553
CODEN:
ICFNAW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)