文献
J-GLOBAL ID:201802279106890173
整理番号:18A1212231
高温AlNバッファを持つc面サファイア上に成長させた窒素極性(0001)GaN【JST・京大機械翻訳】
Nitrogen-Polar (000 1 ) GaN Grown on c-Plane Sapphire with a High-Temperature AlN Buffer
著者 (3件):
Song Jie
(Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, CT 06520, USA)
,
Song Jie
(Saphlux Inc., Branford, CT 06405, USA)
,
Han Jung
(Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, CT 06520, USA)
資料名:
Materials (Web)
(Materials (Web))
巻:
10
号:
3
ページ:
252
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7237A
ISSN:
1996-1944
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)