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文献
J-GLOBAL ID：201802279123238819
整理番号：18A0008121
三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証
Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low VCEsat IGBTs
筒井一生
(東京工大)
,
角嶋邦之
(東京工大)
,
星井拓也
(東京工大)
,
中島昭
(産業技術総合研)
,
西澤伸一
(九大)
,
若林整
(東京工大)
,
宗田伊理也
(東京工大)
,
佐藤克己
(三菱電機)
,
末代知子
(東芝デバイス&ストレージ)
,
齋藤渉
(東芝デバイス&ストレージ)
,
更屋拓哉
(東大)
,
伊藤一夫
(東大)
,
福井宗利
(東大)
,
鈴木慎一
(東大)
,
小林正治
(東大)
,
高倉俊彦
(東大)
,
平本俊郎
(東大)
,
小椋厚志
(明治大)
,
沼沢陽一郎
(明治大)
,
大村一郎
(九州工大)
,
大橋弘通
(東京工大)
,
岩井洋
(東京工大)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-17 号： 74-86 ページ： 1-6 発行年： 2017年11月20日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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