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文献
J-GLOBAL ID：201802279215655873
整理番号：18A1932651
InGaZnO薄膜トランジスタのSrTa_2O_6誘起低電圧動作【JST・京大機械翻訳】
SrTa2O6 induced low voltage operation of InGaZnO thin-film transistors
Takahashi Takanori
(National Institute of Technology, Tsuruoka College, Tsuruoka 997-8511, Japan)
,
Takahashi Takanori
(Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan)
,
Hoga Takeshi
(National Institute of Technology, Tsuruoka College, Tsuruoka 997-8511, Japan)
,
Miyanaga Ryoko
(Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan)
,
Fujii Mami N.
(Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan)
,
Ishikawa Yasuaki
(Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan)
,
Uraoka Yukiharu
(Nara Institute of Science and Technology, Ikoma 630-0192, Japan)
,
Uchiyama Kiyoshi
(National Institute of Technology, Tsuruoka College, Tsuruoka 997-8511, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 665 ページ： 173-178 発行年： 2018年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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