文献
J-GLOBAL ID:201802279938505729
整理番号:18A0932926
改良された電気化学的性能のためのSILAR合成NiO薄膜に及ぼす浸漬サイクルの影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of dipping cycle on SILAR synthesized NiO thin film for improved electrochemical performance
著者 (6件):
Das Mahima Ranjan
(Department of Physics, The University of Burdwan, Burdwan, 713104, India)
,
Roy Atanu
(Department of Instrumentation Science, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
,
Mpelane Siyasanga
(Department of Chemistry, Johannesburg University, Johannesburg, 2006, South Africa)
,
Mukherjee Ayan
(Department of Physics, RRS College, Mokama, Patna, 803302, India)
,
Mitra Partha
(Department of Physics, The University of Burdwan, Burdwan, 713104, India)
,
Das Sachindranath
(Department of Instrumentation Science, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
資料名:
Electrochimica Acta
(Electrochimica Acta)
巻:
273
ページ:
105-114
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0535B
ISSN:
0013-4686
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)