前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201802279938505729   整理番号:18A0932926

改良された電気化学的性能のためのSILAR合成NiO薄膜に及ぼす浸漬サイクルの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of dipping cycle on SILAR synthesized NiO thin film for improved electrochemical performance
著者 (6件):
Das Mahima Ranjan
(Department of Physics, The University of Burdwan, Burdwan, 713104, India)
Roy Atanu
(Department of Instrumentation Science, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
Mpelane Siyasanga
(Department of Chemistry, Johannesburg University, Johannesburg, 2006, South Africa)
Mukherjee Ayan
(Department of Physics, RRS College, Mokama, Patna, 803302, India)
Mitra Partha
(Department of Physics, The University of Burdwan, Burdwan, 713104, India)
Das Sachindranath
(Department of Instrumentation Science, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)

資料名:
Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)

巻: 273  ページ: 105-114  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。