文献
J-GLOBAL ID:201802280044721809
整理番号:18A0910825
ホウ素系酸化剤を用いた大面積遷移金属ジカルコゲナイド単分子膜への化学的ホールドーピング
Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant
著者 (12件):
MATSUOKA Hirofumi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KANAHASHI Kaito
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TANAKA Naoki
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SHOJI Yoshiaki
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
LI Lain-Jong
(KAUST, Thuwal, SAU)
,
PU Jiang
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
PU Jiang
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ITO Hiroshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHTA Hiromichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUSHIMA Takanori
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
TAKENOBU Taishi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKENOBU Taishi
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
2S2
ページ:
02CB15.1-02CB15.4
発行年:
2018年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)