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文献
J-GLOBAL ID：201802280130086977
整理番号：18A0912196
ウルツ鉱型GaNにおける(a+c)型転位解離の原子スケール研究
Atomic-scale studies of (a + c)-type dislocation dissociation in wurtzite GaN
XIONG Huan
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
XIONG Huan
(Sino Nitride Semiconductor Co., Ltd., Dongguan, CHN)
,
WU Jiejun
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
FANG Zhilai
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 2 ページ： 025502.1-025502.4 発行年： 2018年02月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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