文献
J-GLOBAL ID:201802280274469372
整理番号:18A0401381
強化されたアナログ性能のためのG S/Dアンダーラップの研究とNQS小信号モデルを用いたUTB InAs OI Si MOSFETのRF/circuit解析【Powered by NICT】
Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
著者 (2件):
Maity Subir Kumar
(School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar, 751024, India)
,
Pandit Soumya
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, 700009, India)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
101
ページ:
362-372
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)