文献
J-GLOBAL ID:201802280279598625
整理番号:18A2042348
表面ポテンシャル理論に基づくSiC VDMOSFETの連続コンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】
Continuous Compact Model of a SiC VDMOSFET Based on Surface Potential Theory
著者 (4件):
Jaeger Beat
(ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland)
,
Ju Yan Rui
(ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland)
,
Stark Roger
(ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland)
,
Grossner Ulrike
(ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
786-789
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)