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文献
J-GLOBAL ID：201802280329362480
整理番号：18A0588571
超急勾配サブ閾値傾斜PN体のゲート制御ダイオード特性は高効率RFエネルギーハーベスティングのためのSOI-FETの関連【Powered by NICT】
Gate controlled diode characteristics of super steep subthreshold slope PN-body tied SOI-FET for high efficiency RF energy harvesting
Momose Shun
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Ida Jiro
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Mori Takayuki
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Yoshida Takahiro
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Iwata Jumpei
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Horii Takashi
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Furuta Takahiro
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Itoh Kenji
(Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan)
,
Ishibashi Koichiro
(The University of Electro-Communications, Tokyo Japan)
,
Arai Yasuo
(High Energy Accelerator Research Org., KEK, Tsukuba Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： S3S ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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