文献
J-GLOBAL ID:201802280701486990
整理番号:18A0478404
ポリ(3-ヘキシルチオフェン)-炭素ナノチューブ複合膜におけるバイポーラ抵抗スイッチングと不揮発性メモリ効果【Powered by NICT】
Bipolar resistive switching and nonvolatile memory effect in poly (3-hexylthiophene) -carbon nanotube composite films
著者 (4件):
Chaudhary Deepti
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
,
Munjal Sandeep
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
,
Khare Neeraj
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
,
Vankar V.D.
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
資料名:
Carbon
(Carbon)
巻:
130
ページ:
553-558
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0270B
ISSN:
0008-6223
CODEN:
CRBNA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)