文献
J-GLOBAL ID:201802280732042642
整理番号:18A2042324
1.2kV 4H-SiCスプリットゲートパワーMOSFET 解析と実験結果【JST・京大機械翻訳】
1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Power MOSFET: Analysis and Experimental Results
著者 (3件):
Han Ki Jeong
(North Carolina State University, Power America Institute; NY, USA, 12203)
,
Baliga B. Jayant
(North Carolina State University, Power America Institute; NY, USA, 12203)
,
Sung Woong Je
(North Carolina State University, Power America Institute; NY, USA, 12203)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
684-688
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)